HBM 市场与技术

核心结论

格局在重排。 SK海力士的 HBM 营收份额从 2025Q2 的 64% 降到 2026Q2 的 50%。三星率先通过英伟达 HBM4 认证，份额从 15% 升到 33%，三季度营收或已反超。美光稳定在 18–21%。
业绩处于历史顶点。 2026Q3 SK海力士营业利润率 80%，三星 DS 部门营业利润 106.5 万亿韩元，美光 FY26Q4 毛利率 86.8%。驱动力不只有 HBM，通用 DRAM 涨价的贡献同样巨大。
代际切换正在发生。 上半年 HBM 营收的主体仍是 HBM3E；HBM4 下半年放量。SK海力士预计四季度 HBM4 的出货与营收都将超过 HBM3E，三星称三季度 HBM4 已占其 HBM 营收约 60%。
技术方向是“定制化”。 HBM4E（约 16 Gb/s/pin，单堆栈最高约 4 TB/s）2027 年量产。base die 交给代工厂用逻辑工艺制造，走向按客户定制的 HBM。混合键合被推迟到 16 层 HBM4E 或 HBM5。
中国短期影响有限。 长鑫（CXMT）已小规模生产 HBM3E，但良率低，SemiAnalysis 估计其 8 层 HBM3 综合良率约 25%。
供需仍然紧张。 三家都称 2027 年的 HBM 合约基本谈定；SK海力士称 DRAM 和 HBM 产能实际售罄至 2029 年。

数据截至 2026-11-06。关键数据经两个以上来源交叉核对，核对状态见第 05 节。金额按原始币种列示。SK海力士和三星的最新季度为 2026 年 7–9 月，美光为 FY26Q4，即 2026 年 6–8 月。

01市场分布

营收份额走势

HBM 营收份额（Counterpoint）

季度营收口径；2025Q1–2026Q2。SK海力士一年掉了 14 个点，三星升了 18 个点

SK海力士三星美光

来源：Counterpoint Research, Global DRAM and HBM Market Share: Quarterly（2025Q2 采用修订后的 64/15/21）

日期	SK海力士	三星	美光
2026-06	50%	33%	18%
2026-03	58%	21%	21%
2025-12	57%	22%	21%
2025-09	56%	23%	21%
2025-06	64%	15%	21%
2025-03	69%	13%	18%

厂商	Q1’25	Q2’25	Q3’25	Q4’25	Q1’26	Q2’26
SK海力士	69%	64%	56%	57%	58%	50%
三星	13%	15%	23%	22%	21%	33%
美光	18%	21%	21%	21%	21%	18%

数据来自 Counterpoint 的季度营收口径。¹² Counterpoint 在 2025 年 9 月曾给出 2025Q2 为 62/17/21，后来修订为 64/15/21，本文采用修订后的版本。³ 2026Q3 的官方份额数据尚未发布，预计 11 月上旬公布。

三季度：三星或已反超

2026 Q3 HBM 营收估算：三星首次反超

Bernstein 估算，非公司披露；括号内为环比增速

SK海力士三星

来源：Bernstein，经 Korea Herald、SamMobile 转述

项目	分组	数值	备注
三星	三星	$8.7B（+33%）	Q3 HBM 位元出货环比约 +50%，HBM4 约占 HBM 营收 60%
SK海力士	SK海力士	$7.6B（+11%）	HBM3E 敞口最大

Bernstein 估算，三星 2026Q3 的 HBM 营收约 $8.7B，环比 +33%；SK海力士约 $7.6B，环比 +11%。这是三星首次在 HBM 营收上超过 SK海力士。⁴ 这只是券商估算，不是公司披露，但方向得到三星自身数据的佐证：三季度 HBM 位元出货环比约 +50%，HBM4 约占其 HBM 营收的 60%。KB证券进一步预计，三星四季度份额将接近 40%。

不同口径的份额对照

口径 / 机构	SK海力士	三星	美光	说明
HBM 营收份额 2026Q2（Counterpoint）	50%	33%	18%	季度实际值
HBM 位元产出份额 2026E（TrendForce，3 月）	50%	28%	~22%（推算）	2025 年 SK 59%、三星 20%；美光为余量推算
HBM 营收 2026Q3 估算（Bernstein）	$7.6B（+11% QoQ）	$8.7B（+33% QoQ）	–	券商估算
三星 Q4’26 份额预期（KB证券）	–	接近 40%	–	预测
DRAM 总营收份额 2026Q2（Counterpoint）	26%	39%	25%	含通用 DRAM；长鑫 7%

SK海力士在 HBM 上的领先，最依赖 HBM3E 和英伟达这一个客户。Counterpoint 指出，HBM 均价下滑，加上它较早签订的长期协议（LTA）价格偏低，使其整体 DRAM 份额被三星和美光两头挤压。

客户结构

英伟达仍是最大买家，Google 增速最快（TrendForce 3Q26）。⁵
英伟达 Vera Rubin 的 HBM4 分配说法不一。 年初韩联社和 KED 称 SK海力士约占 70%；随着三星率先通过 10/11 Gb/s 两档认证，韩国经济新闻（经 TrendForce）称三星在 Rubin 专用 HBM4 上占主导。两种说法相互矛盾，本文不下结论。⁶⁷
Google 2026 年 HBM 采购：三星 59%、SK海力士 34%、美光 7%。这是三星证券的预测，只有单一来源。⁸
AMD：三星于 2026-03-18 与 AMD 签署 MI455X 的 HBM4 供应备忘录。

代际结构

2026 年上半年 HBM 营收的主体是 HBM3E，Counterpoint 和 TrendForce 的判断一致。
TrendForce 预计 HBM4 在 2026 年下半年取代 HBM3E 成为主流。
SK海力士：四季度 HBM4 出货量与营收均超过 HBM3E。⁹
三星：三季度 HBM4 约占 HBM 营收 60%。¹⁰
TrendForce（2025-11）：预计 2027 年 HBM4E 约占 HBM 需求的 40%。

市场规模：各机构口径差异大

机构 / 口径	数值
BofA	2026 年 $546 亿，同比 +58%¹¹
行业汇总口径	2025 年约 $380 亿 → 2026 年约 $580 亿
美光 TAM	2024 年约 $160 亿 → 2025 年约 $350 亿 → 2028 年约 $1000 亿（约 40% CAGR）¹²

价格方面，TrendForce 3Q26 报告认为 2026 年 HBM 价格“暂停”上涨，平均售价略降；2027 年随 HBM4 占比提升，平均售价将大幅上涨。富邦研究估计英伟达采购 HBM4 的成本约 $31–32/GB，接近 HBM3E（$17–18/GB）的两倍。¹³

02三大供应商的业务情况

最新季度营业利润率

SK海力士为公司整体、三星为 DS（半导体）部门、美光为 GAAP；口径不同，仅比较量级

SK海力士三星美光

来源：公司财报；研究者计算

项目	分组	数值	备注
美光 FY26Q4（6–8 月）	美光	80.7%	营业利润 $43.75B / 营收 $54.23B
SK海力士 Q3'26	SK海力士	80%	营业利润 83.33 万亿 / 营收 104.6 万亿韩元
三星 DS 部门 Q3'26	三星	72.4%	营业利润 106.5 万亿 / 营收 147.1 万亿韩元

三家的利润率都在 70% 以上，这在存储行业历史上从未出现过。需要注意口径：SK海力士是公司整体，三星是 DS（半导体）部门，美光是 GAAP 营业利润，各自由研究者用营业利润除以营收计算。

SK海力士

指标	数值
Q3’26 营收	104.6 万亿韩元（同比 +328%，环比 +32%）
Q3’26 营业利润	83.33 万亿韩元（约 $628 亿）
营业利润率	80%（历史新高）
净利润	39.78 万亿韩元（含 32.63 万亿非经营性损失）

HBM4 于三季度正式放量，四季度将成为主力 HBM 产品。⁹¹⁴
称 DRAM 与 HBM 产能实际售罄至 2029 年，已与 14 家客户签订长期协议，预计供不应求持续到 2030 年。
M15X 工厂年底满产，用于扩大 HBM4 产能；龙仁一期提前 3 个月，于 2027 年 2 月启用。
弱项：HBM3E 敞口最大，受 HBM3E 降价和早期长期协议价格的拖累；HBM4 的初始量产时点晚于三星。

三星电子

指标	数值
Q3’26 营收	195.3 万亿韩元（同比 +127%）
Q3’26 营业利润	107.4 万亿韩元（同比 +783%）
DS 部门	营收 147.1 万亿 / 营业利润 106.5 万亿韩元
2026 年资本开支计划	84.4 万亿韩元

2026 年 2 月宣布 HBM4 量产出货，是首个通过英伟达 Rubin HBM4 认证的供应商；三季度 HBM 位元出货环比约 +50%。¹⁵¹⁶
HBM4 约占三季度 HBM 营收的 60%，称已“提前达成份额目标”；2027 年 HBM 供应谈判已完成。¹⁰
垂直整合优势：1c DRAM 加自家代工的 4nm base die。代工业务也因此受益于 HBM base die 订单。
弱项：DX（手机、家电）部门因存储涨价亏损约 0.8 万亿韩元；代工业务仍未扭亏。

美光科技

指标	数值
FY26Q4 营收	$542.3 亿（同比 +379%）
GAAP 毛利率	86.8%
Cloud Memory BU（以 HBM 为主）	$162.8 亿
FY2026 全年营收	$1331.9 亿
FY27Q1 指引	$615 亿 ± $15 亿

HBM4 36GB 12 层于 2026Q1 量产出货，速率超过 11 Gb/s，带宽超过 2.8 TB/s；48GB 16 层已送样。¹⁷¹⁸
已签下 2027 年大部分 HBM 位元供应，价格同比大幅上涨。
与英伟达合作首个定制 HBM4E（NVHBM）；HBM4E 的 base die 交由台积电制造，最高到 3nm 级。¹⁹
弱项：据 KED 报道，美光未进入 Vera Rubin 旗舰 HBM4 的首批供应，主要供应 Rubin CPX 等中端产品。这是媒体报道，未经公司确认。⁷

挑战者：长鑫存储（CXMT）

据 The Information（2026-09），长鑫已开始小规模生产 HBM3E，计划 2027 年爬坡；阿里平头哥、寒武纪据报正在测试。²⁰
SemiAnalysis 估计其 8 层 HBM3 前道良率约 35%、后道约 70%，综合约 25%。
计划把约 6 万片/月（约 20% 产能）转向 HBM。DigiTimes、ZDNet Korea 对其量产进度持怀疑态度，认为 2026 年量产的可能性低。²¹
在 DRAM 整体市场，长鑫 2026Q2 份额约 7%（Counterpoint DRAM 口径）。

03近几代前沿技术

HBM4 的核心变化是做宽而不是做快：接口位宽从 1024-bit 翻倍到 2048-bit，通道数从 16 增加到 32。厂商的实际产品普遍超过 JEDEC 的基线速率。

单堆栈带宽：HBM3 → HBM4E

HBM4 起接口从 1024-bit 翻倍到 2048-bit；厂商产品普遍高于 JEDEC 基线

JEDEC 标准 / 行业典型厂商产品 / 目标

来源：JEDEC（经 Tom's Hardware、All About Circuits）；美光；三星 GTC 2026

项目	分组	数值	备注
HBM3（6.4 Gb/s）	JEDEC 标准 / 行业典型	~0.82 TB/s
HBM3E（9+ Gb/s）	JEDEC 标准 / 行业典型	~1.2 TB/s
HBM4 标准（8 Gb/s）	JEDEC 标准 / 行业典型	2.0 TB/s	JESD270-4，2025-04
美光 HBM4 12H（>11 Gb/s）	厂商产品 / 目标	>2.8 TB/s	2026Q1 量产出货
三星 HBM4E 目标（16 Gb/s）	厂商产品 / 目标	~4.0 TB/s	2027 量产

代际	接口位宽	单 pin 速率	单堆栈带宽	堆叠 / 容量	状态（2026-11）
HBM3	1024-bit	6.4 Gb/s	~819 GB/s	8–12 层	成熟；长鑫的追赶目标
HBM3E	1024-bit	9+ Gb/s	~1.2 TB/s	8/12 层，最高 36GB（12 层）	2026 上半年营收主体，下半年让位于 HBM4
HBM4（JEDEC JESD270-4，2025-04）	2048-bit	标准 8 Gb/s；产品 10–11.7 Gb/s	标准 2 TB/s；美光 >2.8 TB/s	4–16 层，24/32Gb die，最高 64GB	三家均已量产 12 层 36GB；16 层 48GB 送样或认证中
HBM4E	2048-bit	最高约 16 Gb/s	最高约 4.0 TB/s（三星目标）	12 层 48GB 为主流，16 层可选	三星 Q2’26 送样，SK海力士 6 月送 12 层样品，2027 年量产
HBM5	–	–	–	–	三星 COMPUTEX 2026 展示模型；SK海力士路线图 2029–2031

三星 HBM4 的量产速率 11.7 Gb/s（最高 13 Gb/s）来自其 2026 年 2 月的公告。英伟达要求 Rubin 使用的 HBM4 速率超过 10 Gb/s，认证分 10 和 11 Gb/s 两档。²²²³²⁴

Base die 逻辑化与定制 HBM

从 HBM4 开始，base die 改用逻辑工艺（12nm、5nm、4nm），由代工厂制造。SK海力士和美光用台积电，三星用自家 4nm。
HBM4E 走向按客户定制。美光把定制 base die 交给台积电，最高到 3nm 级。
三星在 Hot Chips 2026 上提出 zHBM 三阶段路线：先把控制器下放到 base die，再加入内存扩展和 attention 计算，最后与逻辑芯片 3D 堆叠。²⁵

这意味着 HBM 正在从标准化的“大宗存储”变成与 GPU/ASIC 共同设计的定制部件。对代工厂（尤其是台积电和三星代工）来说，这是一块新增的先进制程需求。

键合：混合键合再次推迟

JEDEC 把 HBM4 的封装厚度上限从 720µm 放宽到 775µm，所以 HBM4 可以继续使用 TC 键合和 MR-MUF。²⁶
SK海力士的 16 层 HBM4 把 core die 减薄到约 50µm，没有使用混合键合。
业界预计混合键合最早用于 16 层 HBM4E，主要在 HBM5 上。三星称其 HCB 混合铜键合的热阻比 TCB 低 20% 以上。²⁷

散热与堆叠高度

12 层仍是 HBM4E 的主流，与客户关于 16 层的讨论有限。
三星的 Heat Path Block、SK海力士的 iHBM 正在为 HBM5 测试散热方案。²⁸
厂商倾向于增大 die 面积，而不是急于上混合键合，这带动了宽幅 TC 键合机的需求，韩美半导体是受益者。

04投资视角：需要跟踪的变量

下表是研究者根据上文整理的观察清单，不是原始数据。

变量	当前读数	为什么重要
Counterpoint 2026Q3 HBM 份额	待 11 月发布	验证三星是否在营收上正式反超
英伟达 Rubin HBM4 分配	说法冲突	决定 2027 年三家 HBM4 出货结构
HBM 平均售价	2026 年略降，2027 年预计大涨	HBM3E 降价拖累 SK海力士，HBM4 溢价接近 2 倍
长期协议覆盖	三家 2027 年合约基本谈定；SK 称售罄至 2029	早签的低价长期协议在涨价周期里反而是负担
长鑫良率与量产进度	综合良率约 25%，量产时点存疑	中国国产替代的上限
混合键合时点	推迟到 16 层 HBM4E / HBM5	影响键合设备厂商的订单节奏

05关键数据交叉验证

✓ 已验证：两个及以上独立来源一致，或一手披露加独立媒体复核。
△ 部分验证：多家转载但源头相同、为估算值，或各方口径不同。
✕ 存在冲突：来源之间相互矛盾，或数据被修订。

#	数据项	数值	来源 A	来源 B	状态
1	SK海力士 Q3’26 营收 / 营业利润 / 利润率	104.6 / 83.33 万亿韩元 / 80%	Korea Times（监管公告）	TrendForce；Neoteo（引 SEC 文件）	✓
2	三星 Q3’26 营收 / 营业利润	195.3 / 107.4 万亿韩元	三星官方新闻稿（10-29）	DigitalToday；Korea Herald（经 NewKerala）	✓
3	三星 DS 部门营收 / 营业利润	147.1 / 106.5 万亿韩元	三星官方新闻稿	DigitalToday；FourWeekMBA	✓
4	美光 FY26Q4 营收 / FY26 全年营收	$54.23B / $133.19B	SEC 8-K 新闻稿	Herald Business；Pulse 2.0	✓
5	美光 Cloud Memory BU 营收	$16.28B	Pulse 2.0（引公司公告）	The Next Platform	✓
6	HBM 份额 Q2’26（营收）	50 / 33 / 18	Counterpoint 官网（英/韩）	Edaily、SamMobile 转述同一来源；TrendForce 位元份额方向一致	△ 同源
7	HBM 份额 Q2’25 基数	64/15/21 vs 62/17/21	Counterpoint 2026 版	Counterpoint 2025-09 版（BusinessKorea）	✕ 修订
8	Q3’26 HBM 营收：三星 vs SK海力士	$8.7B / $7.6B	Korea Herald（引 Bernstein）	SamMobile、Sammy Fans（同引 Bernstein）；三星自身数据佐证方向	△ 估算
9	2026 HBM 市场规模	$54.6B / ~$58B / ~$50.5B	BofA（经 SK海力士 Newsroom）	行业汇总口径（Meticulous）；美光 TAM	△ 口径不同
10	JEDEC HBM4 规格	2048-bit · 8 Gb/s · 2 TB/s · 64GB	Tom’s Hardware	All About Circuits；SemiEngineering；TrendForce	✓
11	美光 HBM4 36GB 12H 速率 / 带宽	>11 Gb/s · >2.8 TB/s	Tom’s Hardware	Evertiq；StorageReview	✓
12	三星 HBM4E 目标规格	16 Gb/s · 4.0 TB/s	Notebookcheck	DigitalToday	✓
13	HBM4 封装厚度放宽、混合键合推迟	720→775µm	TrendForce（2026-07）	Tom’s Hardware	✓
14	SK海力士 HBM4E 2027 年量产	2027	Asiae / Fnnews（Q1 电话会）	MTN（Q2 电话会：样品已交付）	✓
15	SK海力士 HBM4 在 Q4 超过 HBM3E	出货量与营收	Korea Times	TrendForce；Neoteo	✓
16	英伟达 Rubin HBM4 分配	SK ~70% vs 三星主导	韩联社 / KED：SK 约 70%	韩国经济新闻（经 TrendForce）：三星主导	✕ 冲突
17	长鑫 HBM 量产进度	HBM3E 小规模生产	The Information（经 JoongAng Daily）	DigiTimes、ZDNet Korea：2026 年量产可能性低	✕ 冲突
18	DRAM 总份额 Q2’26	39 / 26 / 25（三星/SK/美光）	SamMobile（引 Counterpoint）	Malaysian Wireless（引 Counterpoint）	△ 同源

HBM 份额类数据目前只有 Counterpoint 公开发布季度营收口径。TrendForce 的季度份额在付费报告中，公开渠道只能拿到其年度位元份额预测，所以份额数据标为“同源”。Counterpoint 11 月发布 2026Q3 数据后，本文需要更新。

06方法与数据说明

份额：以 Counterpoint 季度营收口径为主；TrendForce 年度位元份额用于方向核对；Bernstein 为券商估算，单独标注。
财报：SK海力士、三星为 2026 年 7–9 月；美光为 FY26Q4（2026 年 6–8 月），两者相差一个月。营业利润率由研究者用营业利润除以营收计算。
市场规模：BofA、行业汇总、美光 TAM 三种口径并列，不做合并。
媒体报道：英伟达 Rubin 分配、Google 采购份额、长鑫进度等来自媒体或券商，已标注冲突或单一来源。
第 04 节的观察清单为研究者整理，不是原始数据。

本文根据公开报道整理，券商估算与媒体爆料已单独标注；仅为研究记录，不构成投资建议。

其他来源

Counterpoint Research, “Global DRAM and HBM Market Share: Quarterly”。链接 ↩
Counterpoint Korea, 2026Q2 全球 HBM 份额。链接 ↩
BusinessKorea（经 Design & Reuse），Counterpoint 2025Q2 原始版本。链接 ↩
Korea Herald, Bernstein：三星 Q3 HBM 营收或已反超。链接 ↩
TrendForce, HBM Industry Analysis 3Q26（摘要）。链接 ↩
TrendForce, Rubin HBM4 供应商与 2026 位元份额预测。链接 ↩
Börse Express（引 KED），Rubin HBM4 分配。链接 ↩ ↩²
AIGazine（引三星证券），Google HBM 采购分配。链接 ↩
Korea Times, “SK hynix logs record Q3 operating profit”, 2026-10-28。链接 ↩ ↩²
NewKerala（转 Korea Herald），三星 HBM4 约占 60%、资本开支。链接 ↩ ↩²
SK hynix Newsroom, 引 BofA 2026 HBM 市场 $54.6B。链接 ↩
Meticulous Research, High Bandwidth Memory Market（引美光 HBM TAM）。链接 ↩
TrendForce, HBM4 $31–32/GB（富邦研究）。链接 ↩
TrendForce, SK hynix 3Q26 营业利润率 80%，售罄至 2029。链接 ↩
Samsung Newsroom, 2026Q3 财报。链接 ↩
TrendForce, 三星 3Q26 初步业绩，HBM 位元 +50%。链接 ↩
Micron FY26Q4 新闻稿（SEC 8-K）。链接 ↩
Tom’s Hardware, Micron enters high-volume production of HBM4 for Nvidia Vera Rubin。链接 ↩
The Next Platform, “Micron’s Numbers Show Why HBM4 Memory Is Worth 15x Its Weight in Gold”, 2026-10-02。链接 ↩
Korea JoongAng Daily, China’s CXMT begins HBM3E production。链接 ↩
DigitalToday, 长鑫 HBM 产能规划与 DigiTimes 质疑。链接 ↩
Tom’s Hardware, JEDEC finalizes HBM4 memory standard。链接 ↩
All About Circuits, JEDEC officially releases HBM4 memory standard。链接 ↩
Notebookcheck, Samsung breaks the 16 Gbps barrier with HBM4E reveal at GTC 2026。链接 ↩
36Kr / 半导体行业观察，Hot Chips 2026 zHBM 与 base die。链接 ↩
TrendForce, 三星、SK海力士重新考虑混合键合时间表，2026-07-07。链接 ↩
Tom’s Hardware, Hybrid bonding roadmap examined。链接 ↩
MTN, SK海力士 HBM4E 样品已交付、iHBM。链接 ↩